A.容量大，速度快，成本低

B.容量大，速度慢，成本低

C.容量小，速度快，成本高

D.容量小，速度快，成本低

A.優(yōu)盤不能作為系統(tǒng)的啟動盤使用

B.優(yōu)盤采用Flash 存儲器構(gòu)成，體積小、容量比軟盤大

C.優(yōu)盤不具有寫保護功能

D.優(yōu)盤使用RS232E接口與計算機連接

A.讀操作也具有刷新功能

B.DRAM 比相同工藝的SRAM要慢

C.某DRAM芯片地址引腳數(shù)據(jù)為12根，則其容量為16M

D.工具DRAM 的工作原理可知，相同容量的DRAM 比SRAM 功耗低

A.虛擬存儲器利用外存的存儲空間

B.虛擬存儲器是由操作系統(tǒng)提供的

C.虛擬存儲器的容量可遠大于物理內(nèi)存

D.虛擬存儲器能在物理上擴大內(nèi)存存儲空間

A.具有自動控制能力

B.具有記憶功能

C.通用性強

D.無記憶功能

A.容量小，速度快，成本高

B.容量小，速度快，成本低

C.容量大，速度快，成本高

D.以上都不正確

A.微機的內(nèi)存按功能可分為RAM和ROM

B.通常所說的計算機內(nèi)存容量指RAM和ROM合計的存儲器容量

C.RAM具有可讀寫性，易失性

D.基本輸入/輸出系統(tǒng)模塊BIOS等

A.這是單選題

B.反應(yīng)活化能越小，反應(yīng)速率越大

C.溶液中的反應(yīng)一定比氣相中的反應(yīng)速率大

D.增大系統(tǒng)壓力，反應(yīng)速率一定增大

E.增大系統(tǒng)體積，反應(yīng)速率一定增大

A.硬盤存儲器

B.內(nèi)存儲器

C.軟盤存儲器

D.只讀光盤存儲器